CINNO Research 产业资讯，富士电机正在加强对功率半导体市场的攻势，2019年公布的2019-2023年度中期经营计划中（以下简称为：“中期计划”），富士电机把电力电子系统/功率半导体定为战略核心。尤其是功率半导体，2023年销售目标定为1,750亿日元（约人民币105亿元，与2018年相比增加57%）；并且以基本的产品IGBT为主要发力点提高市场影响力。此次，就富士电机的战略方针、研发方向等，EE Times Japan采访了电子元件事业本部长宝泉彻先生。

  宝泉先生：总体印象是2018年顺利发展，进入2019年中美贸易摩擦的影响渐渐慢慢的出现。与其说是直接影响，不如说是客户方停止设备投资的影响较大，占销售额比重较大的产业设备业绩停滞不前。另一方面，风力、太阳能等新能源业务以海外销售为主，业绩持续良好。此外，中国的家用变频空调事业销售业绩也比较坚挺。

  就车载领域而言，2019年汽车销售数量疲软，业绩未达到预期的增长。但是，从“电动化”这个层面来说，与2018年相比仍有增长，而且2019年第三季度之前都没再次出现大幅度下滑，所以虽然未达到预期，总体还是比较顺利。

  宝泉先生：除了上文提到的中美贸易摩擦，还比较担心当前新冠肺炎带来的影响。从中长期来看，全球节能、减少二氧化碳排放的趋势是肯定的，无论眼下情况如何，基本的战略是不变的。因此，我们预测2018年-2023年期间，全球半导体市场保持7%，汽车市场保持13%的较高年增长率。所以就中期计划中提到的2023年1,750亿日元（约人民币105亿元）的销售额目标而言，目前没有更改目标的计划。（采访时间：2020年3月12日）

  3. 5年内进行1,200亿日元（约人民币72亿元）的设备投资，请告知具体的用途。

  宝泉先生：富士电机的功率半导体产品大致分为两个方向，即汽车和一般产业。我们计划在2023年之前把车载应用销售额提高至50%，因此一半以上的投资都是车载方向。由于在前段工序中设备是共通的，所以很难分开来考虑，但如果从销售额增长率来看，车载方向占投资额的6-7成左右。

  从投资内容来看，以合理化分配（切换到8inch）、增加8inch产能为中心，在2023年之前把8inch产能扩大3倍（与2018年相比）。日本国内有3处前段工序工厂、国外有1处，此次计划扩大日本国内工厂的产能。国外工厂的机会是扩大后段工序的产能，绝大多数都是根据自身的需求、自产自销，我们在扩大国外市场销售额占比的同时，加大对外投资。由于后段工序的准备不像前段工序一样花费时间，所以目前并没有具体的计划。

  富士电机 电子元件事业总部本部长，宝泉 彻先生（图片出自：eetimes.jp）

  宝泉先生：当然我们大家都认为未来是会需要，我们也开始了关键技术的研发准备工作。但是，如晶圆的偏差和晶圆本身越来越重等问题引起的工艺技术问题，在1-2年内实现量产是比较难的。现在的情况是以2023年实现量产为目标在推进。具体我们公司是不是启动，也在进行多方探讨。

  5. 与过去5年（2014年-2018年的累计额）的研发费用相比，计划增加116亿日元（约人民币6.96亿元），增至740亿日元（约人民币44.4亿元），具体是投资到什么产品上？

  宝泉先生：我们半导体销售额中，IGBT占6成以上（其他为一般产业领域的离散元件约20%，剩下的就是车载领域的离散元件等），我们研发的主力产品是IGBT，我们会继续加大第七代IGBT的研发、推进第八代IGBT的技术发展。

  宝泉先生：我们预测2023年xEV市场的年增长率会提高至41%。而且，我们计划2023年车载应用销售比重提升至50%，基本的产品是“RC-IGBT”为主的车载半导体元件。

  RC-IGBT指的是IGBT与FWD的一体化，与之前IGBT与FWD的组装产品相比较，除了芯片封装面积减少25%、芯片发热减少33%之外，还因发热均匀带来了较高的稳定性。该技术主要在第七代IGBT上对RC-IGBT做调整、谋求“差异化”。同时，对“第四代直接水冷却模组”技术也抱有期待：水直接流过翅片（Fin），进行冷却，实现了较高的放热性和轻量化。该技术已开始量产。将该技术与RC-IGBT相结合，谋求“差异化”，推进车载半导体领域开展。

  7. 关于RC-IGBT技术，与竞争对手相比，您认为富士电机的优势如何？

  宝泉先生：RC-IGBT研发中最重要的是FWD和GBT的比例。我们在很早之前就开始与汽车厂家合作，就车载RC-IGBT而言，我们的供货早于业界的其他厂商。我们迄今为止积累的知识、经验是富士电机特有的优势。

  宝泉先生：计划在2018年基础上，工业模组销售额提高26%，当然也会以第七代IGBT和RC-IGBT为中心而展开。具体而言，在新能源等大容量领域，采用大容量封装PrimePACK3的模组应用在RC-IGBT上能大大的提升33%的容量。此外，将第七代IGBT应用于家用空调等小容量的Small IPM，与第六代相比能够大大减少32%的电力损耗。

  本来，富士电机的优势是在产业机器人、通用变频器等中等容量的产品，在此基础上，10年前开始慢慢地把产品阵容扩大到大容量、小容量领域。今后我们打算进一步强化这一趋势。现在大容量+小容量产品占整体销售额的17%，2023年度计划增至31%。

  宝泉先生：海外市场已超过50%，计划在2023年还会提升至61%。海外市场主要以车载半导体，中国的空调“变频化”来逐步扩大市场，此外，欧洲的风能、太阳能等新能源方向有市场机会，我们将继续全力以赴。

  宝泉先生：我们会继续针对SiC元件的研发投资。SiC元件的业绩在逐渐扩大，我们大家都认为2023年之前销售额将会增长数十亿日元的规模，但是从整体数据分析来看，还没有到能做出突出贡献的阶段。SiC的性能改善亦是如此，如今SiC晶圆不仅存在成本很高的问题，对品质提高也有要求。我们大家都认为不仅要改善设计，降低材料成本，还要提升产品性能。

  关于SiC，我们的方针是专注于模组产品。如今，虽然应用在新能源、电力铁路等方面，但是与硅产品相比，占比较低。车载应用还处于少量的试验性流动阶段，在2025年前后估计开始大规模地应用于量产车上。随着xEV市场的全面增长，SiC元件市场也会明显地增长，我们正在稳步地做准备。

  第一代沟槽栅(Trench Gate)MOSFET已经量产，第二代沟槽栅MOSFET也开始研发。与第一代相比，第二代由于具有精细化、基板更薄等特点，功耗降低23%，大约2020年的夏季能够给大家提供样品。同时我们将追加一般产业、新能源、电力铁路等各种用途的封装系列产品。

  在此基础上，2025年前后可以出货性能得到进一步改善的第三代产品，随着SiC元件市场的日趋成熟，将会为销售额做出更大的贡献。关于第三代的开发，将继续采用沟槽栅(Trench Gate)结构，同时致力于改善性能，如进一步的精细化、更薄的晶圆等。

  宝泉先生：目标是在2025年-2026年取得整个SiC功率模组市场20%的份额。从市场规模的推测计算，金额约为100-150亿日元（约人民币6亿-9亿元）。目前生产安排在松本工厂的6inch产线，虽然没有具体的计划，但是我们将持续关注扩大产能的可能性和需求动向等情况。

  宝泉先生：目前方式是与合作晶圆厂家确保量的基础上安排生产，但以后必须增加供给方势在必行。虽然没有具体计划，如果未来需求迅速增加的话，那就必须要考虑签订晶圆采购的长期合同。